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西安ENJ2005-B 半导体分立器件测试系统

西安ENJ2005-B 半导体分立器件测试系统

ENJ2005-B半导体分立器件测试系统概述:

       设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。

面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。

系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。

系统特征:

测试范围广(19大类,27分类)

● 升级扩展性强,通过选件可提高电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯最大升级至2000V,1250A

采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300uS

被测器件引腿接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试,确保被测器件不受损坏

真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际值偏差很大)

系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障

二极管极性自动判别功能,无需人工操作

测试参数:

漏电参数:IRICBOLCEO/S/XIDSS/XIDOFFIDRMIRRMICOFFIDGOICESIGESFIGESRIEBOIGSSFIGSSRIGSSIGKOIR(OPTO)

击穿参数:BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS VD  BVCBO VDRM VRRM VBBBVR VD+VD-BVDGOBVZBVEBO BVGSS BVGKO

增益参数:hFECTRgFS

导通参数:VCESATVBESATVBEON VFVTVT+VT- VONVDSONVDONVGSONVF(Opto-Diode)VGSTHVGETHVTMVSDIDONVSATIDON Notch = IGT1IGT4ICONVGEONVO(Regulator)IIN(Regulator)

混合参数:rDSONgFSInput RegulationOutput Regulation

关断参数:VGSOFF      

触发参数:IGTVGT

保持参数:IHIH+IH-

锁定参数:ILIL+IL-

                 

  基础配置:

技术参数

ENJ2005-B型

主极电流

100nA-50A

扩展电流

100A、500A、1000A、1200A

电压分辨率

1mV

电流分辨率

1nA(可扩展至10pA)

测试精度

0.2%+2LSB

测试速度

0.5mS/参数

     易恩电气,致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子相关的大功率分立器件测试仪IGBT测试仪变流器IGBT测试仪牵引系统IGBT测试,半导体参数图示仪IGBT动态参数测试仪MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪晶闸管测试仪、元器件测试仪、晶体管图示仪等功率半导体测试设备。


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