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西安ENX2020 雪崩耐量测试系统

西安ENX2020 雪崩耐量测试系统

系统概述:

    半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件,其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流,满足一定的雪崩耐量。

    雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量。但是,一些电源在输 出短路时,初级中会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些 电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。

该测试系统主要用于 IGBTFRDMOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机经过处理后,将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行最终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求,并预留电压电流扩展功能。

系统模块:

主控单元、电源模块、高压输出模块、电流输出模块、数据采集模块、驱动电路、保护电路

系统特征:

雪崩能量/电流超限提示、设备配有应急装置、可设置保护电压、可连接handler

测试结果保存为Excel、测试波形采集及显示、

规格/环境要求:

       寸:800x800x1800(mm)

       量:210kg

环境湿度:15~40

工作电压:AC220V±10%无严重谐波

电网频率:50Hz±1Hz

大气压力:86Kpa~106Kpa

通信接口:USB  RS232

系统功耗:320W

功能指标:

配置

测试范围

测试参数

条件

范围

电压
1000V

IGBTs
绝缘栅双极型晶体管

EAS/单脉冲雪崩能量

VCE

20V~4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V

电流
200A

MOSFETs
MOS场效应管

EAR/重复脉冲雪崩能量

Ic

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA


DIODEs
二极管

IAS/单脉冲雪崩电流

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J



PAS/单脉冲雪崩功率

IC检测

50mV/A(取决于传感器)




感性负载

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、




重复间隙时间

1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次

     易恩电气,致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子相关的大功率分立器件测试仪IGBT测试仪变流器IGBT测试仪牵引系统IGBT测试,半导体参数图示仪IGBT动态参数测试仪MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪晶闸管测试仪、元器件测试仪、晶体管图示仪等功率半导体测试设备。


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